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  • HVMOS

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    采用多層外延制造工藝和獨(dú)特結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的超結(jié)MOS，產(chǎn)品具有比常規(guī)MOSFET更快的開關(guān)速度及更柔和的開關(guān)曲線，在低開關(guān)損耗的同時(shí)也抑制了開關(guān)震蕩，提高系統(tǒng)效率、降低發(fā)熱量，簡(jiǎn)化系統(tǒng)的EMC設(shè)計(jì)。
    基于其高效率、低溫升的特點(diǎn)，特別適用于快速充電器、LED電源、通訊、服務(wù)器電源、電動(dòng)車充電樁、車載電源系統(tǒng)等系統(tǒng)應(yīng)用。

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商品描述

采用多層外延制造工藝和獨(dú)特結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的超結(jié)MOS，產(chǎn)品具有比常規(guī)MOSFET更快的開關(guān)速度及更柔和的開關(guān)曲線，在低開關(guān)損耗的同時(shí)也抑制了開關(guān)震蕩，提高系統(tǒng)效率、降低發(fā)熱量，簡(jiǎn)化系統(tǒng)的EMC設(shè)計(jì)。
基于其高效率、低溫升的特點(diǎn)，特別適用于快速充電器、LED電源、通訊、服務(wù)器電源、電動(dòng)車充電樁、車載電源系統(tǒng)等系統(tǒng)應(yīng)用。

更新時(shí)間：2024-04  請(qǐng)輸入具體型號(hào)：  
ICM Product IDProcessTyeBVDSS@1mA(V)ID(A)BVGS(V)Ron(mR@Vgs=10V)Package規(guī)格書

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CMW60R070DFDEPI-SJFRD60056±306570TO247下載
CMW60R110DFDEPI-SJFRD60030±30101110TO247下載
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CMD65R800DEPI-SJ-6505±308001000TO252
CMD65R1100DEPI-SJ-6504±3011001300TO252
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